YSB822變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

工作原理：

在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí)，電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ，ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。
儀器測(cè)量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路（Cn）和一被試回路(Cx)，如圖1所示。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測(cè)量線路組成，被試回路由被試品和測(cè)量線路組成。測(cè)量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。
通過測(cè)量電路分別測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位差，再由單片機(jī)運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法，通過矢量運(yùn)算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施，保證在外電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量。

概況

是一種新穎的測(cè)量介質(zhì)損耗角正切（tgδ）和電容值（Cx）的自動(dòng)化儀表?？梢栽诠ゎl高電壓下，現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切（tgδ）和電容值（Cx）。與西林電容電橋相比，具有操作簡單、自動(dòng)測(cè)量、讀數(shù)直觀、無需換算、精度高、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。儀器內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)電容器和升電壓裝置，在“內(nèi)接"方式下使用，無需其它外接設(shè)備，便于攜帶。

YSB822變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

技術(shù)指標(biāo)
準(zhǔn)確度：Cx：±（讀數(shù)×1%+1pF）
     tgδ：±（讀數(shù)×1%+0.00040）
抗干擾指標(biāo)：變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
電容量范圍：內(nèi)施高壓：3pF～60000pF/10kV    60pF～1μF/0.5kV
       外施高壓：3pF～1.5μF/10kV     60pF～30μF/0.5kV
       分辨率：0.001pF，4位有效數(shù)字
tgδ范圍：不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A
內(nèi)施高壓：設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
大輸出電流：200mA
升降壓方式：連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
試驗(yàn)頻率：45、50、55、60、65Hz單頻
      45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻
頻率精度：±0.01Hz
外施高壓：正接線時(shí)大試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
反接線時(shí)大試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A
CVT變比測(cè)量：變比測(cè)量精度：±讀數(shù)×1%   變比測(cè)量范圍：10～99999
相位測(cè)量精度：±0.1°             相位測(cè)量范圍：0～359.9°
測(cè)量時(shí)間：約40s，與測(cè)量方式有關(guān)
輸入電源：180V～270VAC，50Hz±1%，市電或發(fā)電機(jī)供電
計(jì)算機(jī)接口：標(biāo)準(zhǔn)RS232接口
打印機(jī)：煒煌A7熱敏微型打印機(jī)
環(huán)境溫度：-10℃～50℃
相對(duì)濕度：<90%
外形尺寸：455×336×363mm
儀器重量：28kg